英飞凌与罗姆达成碳化硅功率器件封装合作

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    英飞凌与罗姆强强联手，签署碳化硅功率器件封装合作协议，未来客户可在双方产品间灵活切换，提升设计与采购效率，并计划拓展至硅及宽禁带半导体领域。

    两家重要功率半导体企业德国英飞凌Infineon和日本罗姆ROHM本月25宣布双方就建立碳化硅(SiC)功率器件封装合作机制签署了备忘录。

    根据这份协议，双方将成为对方SiC功率器件特定封装的第二供应商，未来客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性。

    具体而言，罗姆将采用英飞凌的2.3mm标准高度SiC顶部散热平台；而英飞凌则将导入罗姆的半桥结构SiC模块"DOT-247"并开发兼容封装。

    左：英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁PeterWawer

    右：罗姆董事兼常务执行官伊野和英

    不仅如此，英飞凌与罗姆计划未来扩大合作范围，这份伙伴关系将涵盖采用硅(Si)及宽禁带半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等的功率技术的更多封装形式。